應(ying)用領(ling)域：

本(ben)裝置是(shi)磁控濺(jian)射(she)鍍膜(mo)系統，該系統兼容直流(liu)和射(she)頻濺(jian)射(she)源，可濺(jian)射(she)金屬(shu)、非金屬(shu)及化合物薄膜(mo) ( 如：ITO) 等(deng)；廣泛應用于科研院所、實驗室制備(bei)單層或(huo)多層薄膜，以及新材料、新工(gong)藝研究。 本裝置系(xi)統(tong)結構緊(jin)湊(cou)，系(xi)統(tong)采(cai)用模(mo)塊化設計可擴展性高，在保證系(xi)統(tong)穩定性的前提下，進一步優化您的實驗室利(li)用空間；適合擺(bai)放于工作臺面(mian)上。

基本配置：

◆真空腔室：Φ250 mm(ID) x 250 mm(H) 

◆真空系統：機械泵 + 分子泵兩級真空系統 前級泵：VRD-16 機械泵，抽速：4L/S ；主抽(chou)泵：分(fen)子泵，抽(chou)氣速(su)率：300L/S 主抽閥：CC-100 超高真空(kong)手動插板閥， 可(ke)調節分(fen)子泵抽速，有(you)利(li)于穩(wen)定工藝氣(qi)壓。 

◆極限真空(kong)：<5×10-5Pa 

◆恢復真空(kong)：<6.7×10-4Pa(< 45 min) 

◆真空(kong)測量：“兩低一(yi)高(gao)” 數顯復合真空計 

◆濺 射 源：最多 2×2 英寸磁控靶 

◆濺射電源：直流 (500W ) 一臺（標配） 

◆進氣系統：一路 MFC 控制的工藝氣路（Ar） 

◆樣品臺：可容(rong)納樣品最大尺(chi)寸：3 英寸樣品托一個(ge) , 配擋板(ban)，轉速 0-30rpm 連續可(ke)調(diao) ; 樣品可加熱控溫， 溫(wen)(wen)度范(fan)圍(wei)：室溫(wen)(wen) -300℃，控(kong)溫精度 ±0.5℃； 

◆系統控(kong)制：10 英(ying)寸觸摸屏 +PLC 控制

選擇配(pei)置(zhi)：

◆樣(yang)品臺可水冷(leng)，采用直接(jie)式(shi)水冷(leng)形式(shi)，水冷(leng)不控溫(wen) 

◆全量程真空(kong)計（ Inficon） 

◆電容(rong)式隔膜(mo)真空計(ji) ( 測(ce)量濺射工作壓力 ) 

◆射頻電源(yuan)（RF）300W（可選） 

 系統要求標準(zhun)配置： 

◆工(gong)藝氣(qi)體 :25psi，純度 99.99% 以上 

◆工藝氣體（Ar） ◆工作氣體(ti) : 干燥壓縮空(kong)氣(qi)、氮(dan)氣(qi) 

◆電 源 : 單相 220V , 50Hz, 16A 

 ◆冷 凍(dong) 水 :18-25℃ , 1L/min，壓力 < 0.4MPa